[发明专利]可提高写入效能的非易失性存储单元

权利要求书

1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包含：

一硅衬底，具有一第一导电型，其中所述硅衬底包含一有源区域，被一沟道绝缘区域围绕；

一选择栅极晶体管、一跟随栅极晶体管及一逆熔丝可变电容，耦合串接在所述有源区域上，其中所述跟随栅极晶体管设置在所述选择栅极晶体管与所述逆熔丝可变电容中间；

一第一离子井，具有所述第一导电型，设于所述有源区域，其中所述跟随栅极晶体管与所述第一离子井部分重叠；

一第二离子井，具有所述第一导电型，设于所述有源区域并与所述第一离子井相连，其中所述第二离子井的掺杂浓度小于所述第一离子井的掺杂浓度；

一第一源极/漏极掺杂区域，设于所述跟随栅极晶体管一侧的所述第一离子井内，且具有一第二导电型，所述第二导电型与所述第一导电型不同；以及

一第二源极/漏极掺杂区域，设于所述跟随栅极晶体管另一侧的所述第二离子井内，且具有所述第二导电型。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述跟随栅极晶体管与所述第二离子井部分重叠。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述选择栅极晶体管设置在所述第一离子井内。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述逆熔丝可变电容设于所述第二离子井内。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一导电型为P型。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一离子井为一低电压P型阱。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述第一离子井为一中电压P型阱。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述选择栅极晶体管包括一字线栅极、所述字线栅极与所述有源区域之间的一选择栅极氧化层、设置在所述字线栅极一侧的一源极掺杂区域、设置在所述字线栅极另一侧的所述第一源极/漏极掺杂区域、耦合到所述源极掺杂区域的一第一源极/漏极延伸区域、耦合到所述第一源极/漏极掺杂区域的一第二源极/漏极延伸区域，及所述第一源极/漏极延伸区域与所述第二源极/漏极延伸区域之间的一选择栅极通道。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述源极掺杂区域电连接至一位线。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述源极掺杂区域具有所述第二导电型，所述第二导电型与所述第一导电型相反。

11.根据权利要求8所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述源极掺杂区域设置在所述第一离子井内。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述跟随栅极晶体管包括一跟随栅极、所述跟随栅极与所述有源区域之间的一跟随栅极氧化层、设置在所述跟随栅极一侧的所述第一源极/漏极掺杂区域、设置在所述跟随栅极另一侧的所述第二源极/漏极掺杂区域、耦合到所述第一源极/漏极掺杂区域的一第三源极/漏极延伸区域、耦合到所述第二源极/漏极掺杂区域的一第四源极/漏极延伸区域，及所述第三源极/漏极延伸区域与所述第四源极/漏极延伸区域之间的一跟随栅极通道。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储单元，其特征在于，耦合到所述第一源极/漏极掺杂区域的所述第三源极/漏极延伸区域设置在所述第一离子井内。

14.根据权利要求13所述的非易失性存储单元，其特征在于，耦合到所述第二源极/漏极掺杂区域的所述第四源极/漏极延伸区域设置在所述第二离子井内。