[发明专利]一种单面制绒的硅异质结电池及制造方法在审
| 申请号： | 201710970124.6 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107833929A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴泓;何晨旭;赫汉;何志富;宋令枝;冯婧婧 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 任立,艾中兰 |
| 地址： | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单面制绒的硅异质结电池及制造方法，采用单面制绒的N型单晶硅片，在绒面表面沉积非晶硅钝化层及背场N层，在抛光表面沉积非晶硅钝化层及发射极P层，使得电池既满足了正面吸收更多的光，又满足了PN结界面处获得了良好的钝化，降低了电池的缺陷态密度，减少的光生载流子的复合，提高了电池的开路电压。同时结合抛光面溅射金属方式，可以获得更好的红外光反射效果，提高了电池的短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单面 硅异质结 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单面制绒的硅异质结电池，其特征在于包括单面制绒的N型单晶硅片（1）、P面非晶硅钝化层（2）、N面非晶硅钝化层（3）、发射极P层（4）、背场N层（5）、背面ITO层（6）、正面ITO层（7）、丝网印刷金属电极（8）、溅射金属层（9）；所述N型单晶硅片（1）的抛光面为背光面，绒面为受光面；所述的P面非晶硅钝化层（2）、发射极P层（4）、背面ITO层（6）、溅射金属层（9）依次位于N型单晶硅片（1）的抛光面下方；所述的N面非晶硅钝化层（3）、背场N层（5）、正面ITO层（7）依次位于N型单晶硅片（1）的绒面上方；所述丝网印刷金属电极（8）设置在正面ITO层（7）上。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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