[发明专利]一种单面制绒的硅异质结电池及制造方法在审

申请号：	201710970124.6	申请日：	2017-10-13
公开（公告）号：	CN107833929A	公开（公告）日：	2018-03-23
发明（设计）人：	吴泓;何晨旭;赫汉;何志富;宋令枝;冯婧婧	申请（专利权）人：	浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236;H01L31/072;H01L31/18
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256	代理人：	任立,艾中兰
地址：	214203 江苏省无锡***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种单面硅异质结电池制造方法
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【权利要求书】：

1.一种单面制绒的硅异质结电池，其特征在于包括单面制绒的N型单晶硅片（1）、P面非晶硅钝化层（2）、N面非晶硅钝化层（3）、发射极P层（4）、背场N层（5）、背面ITO层（6）、正面ITO层（7）、丝网印刷金属电极（8）、溅射金属层（9）；所述N型单晶硅片（1）的抛光面为背光面，绒面为受光面；所述的P面非晶硅钝化层（2）、发射极P层（4）、背面ITO层（6）、溅射金属层（9）依次位于N型单晶硅片（1）的抛光面下方；所述的N面非晶硅钝化层（3）、背场N层（5）、正面ITO层（7）依次位于N型单晶硅片（1）的绒面上方；所述丝网印刷金属电极（8）设置在正面ITO层（7）上。

2.如权利要求1所述的单面制绒的硅异质结电池，其特征在于P面非晶硅钝化层（2）的厚度小于N面非晶硅钝化层（3）的厚度。

3.一种单面制绒的硅异质结电池制造方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一，对N型单晶硅片进行单面制绒，绒面为受光面，抛光面为背光面；

步骤二，在抛光面依次沉积本征非晶硅钝化层、发射极P层；

步骤三，在绒面依次沉积本征非晶硅钝化层、背场N层；

步骤四，分别在发射极P层、背场N层上沉积透明导电薄膜ITO层；

步骤五，在受光面的透明导电薄膜ITO层上采用丝网印刷方式获得正面金属电极；

步骤六，在背光面的透明导电薄膜ITO层上采用测控溅射金属层的方式获得背面金属电极。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征抛光面的非晶硅钝化层的厚度小于绒面的非晶硅钝化层的厚度。

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