[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710969117.4 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108461099B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 金明珍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置可以包括存储单元阵列区域、外围区域和接口区域。存储单元阵列区域可以包括至少一个存储平面。外围区域可以被形成为与存储单元阵列区域的一侧相邻。接口区域可以被形成为与外围区域的一侧相邻，并且可以包括多个数据输入/输出焊盘。接口区域可以包括配置为将通过所述数据输入/输出焊盘输入的数据发送至所述存储单元阵列区域或者通过所述数据输入/输出焊盘输出从存储单元阵列接收的数据的至少一个SerDes区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列区域，所述存储单元阵列区域包括至少一个存储平面；外围区域，所述外围区域被形成为与所述存储单元阵列区域的一侧相邻；以及接口区域，所述接口区域被形成为与所述外围区域的一侧相邻，所述接口区域包括多个数据输入/输出焊盘，其中，所述接口区域包括配置为将通过所述数据输入/输出焊盘输入的数据发送至所述存储单元阵列区域或者通过所述数据输入/输出焊盘输出从存储单元阵列接收的数据的至少一个SerDes区域。
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