[发明专利]存储器件及制造其的方法

摘要

一种存储器件的存储单元柱包括具有基部(腿)和鳍部(出头部分)的加热电极、以及在第一导电线与加热电极之间的选择器件。选择器件的侧表面和鳍部的侧表面沿第一直线延伸。一种制造存储器件的方法包括形成穿过包括初始选择器件层和初始电极层的堆叠结构的多个第一绝缘壁、形成多个自对准的初始加热电极层、形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二绝缘壁、以及在沿着交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的多个孔中形成多个第三绝缘壁。

主权项

一种存储器件，包括：第一导电线，其在第一方向上在衬底之上延伸；第二导电线，其在交叉所述第一方向的第二方向上在所述第一导电线之上延伸；存储单元柱，其插设在所述第一导电线与所述第二导电线之间；以及绝缘壁，其竖直地设置在所述衬底上，所述绝缘壁面对所述存储单元柱的侧表面，其中所述存储单元柱包括：加热电极层，其具有L形剖面并包括平行于所述第一导电线延伸的基部和在远离所述第一导电线的方向上从所述基部的端部延伸的鳍部；以及选择器件层，其在所述第一导电线与所述加热电极层之间，以及所述选择器件层的面对所述绝缘壁的侧表面和所述鳍部的面对所述绝缘壁的侧表面沿第一直线延伸。