[发明专利]存储器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一导电线，其在第一方向上在衬底之上延伸；

第二导电线，其在交叉所述第一方向的第二方向上在所述第一导电线之上延伸；

存储单元柱，其插设在所述第一导电线与所述第二导电线之间；以及

绝缘壁，其竖直地设置在所述衬底上，所述绝缘壁面对所述存储单元柱的侧表面，

其中所述存储单元柱包括：加热电极层，其具有L形剖面并包括平行于所述第一导电线延伸的基部和在远离所述第一导电线的方向上从所述基部的端部延伸的鳍部；以及选择器件层，其在所述第一导电线与所述加热电极层之间，

所述绝缘壁通过形成延伸穿过所述选择器件层的线空间并用绝缘材料填充所述线空间而形成，从而包括从所述选择器件层向上凸出的凸起，以及

所述加热电极层形成为覆盖所述绝缘壁的所述凸起的侧表面，使得当在所述加热电极层具有所述L形 剖面的平面中看时，所述选择器件层的面对所述绝缘壁的侧表面和所述鳍部的面对所述绝缘壁的侧表面沿第一直线对准。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元柱还包括在所述选择器件层与所述加热电极层之间的中间电极层，以及

所述中间电极层具有面对所述绝缘壁并沿所述第一直线延伸的侧表面。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述存储单元柱还包括在所述选择器件层与所述中间电极层之间并包括非金属材料的界面层，以及

所述界面层具有面对所述绝缘壁并沿所述第一直线延伸的侧表面。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元柱还包括在所述第一导电线与所述选择器件层之间的底电极层，以及

所述底电极层具有面对所述绝缘壁并沿所述第一直线延伸的侧表面。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元柱还包括：

电阻存储器层，其具有接触所述加热电极层的所述鳍部的顶表面的底表面，所述顶表面在所述鳍部中离所述第一导电线最远；以及

第一绝缘间隔物，其填充凹陷拐角部并接触所述电阻存储器层的所述底表面，所述凹陷拐角部由所述加热电极层的所述基部和所述鳍部限定，以及

所述电阻存储器层的所述底表面的接触所述鳍部的所述顶表面的第一底表面的面积小于所述电阻存储器层的所述底表面的接触所述第一绝缘间隔物的第二底表面的面积。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述电阻存储器层具有面对所述绝缘壁并在平行于所述第一直线的方向上从所述鳍部朝所述第二导电线延伸的侧表面。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述鳍部的所述顶表面和所述第一绝缘间隔物的面对所述电阻存储器层的顶表面在一个平面上延伸，以及

所述电阻存储器层的所述底表面沿着所述一个平面平坦地延伸。

8.根据权利要求5所述的存储器件，其中从所述第一导电线到所述鳍部的所述顶表面的第一距离不同于从所述第一导电线到所述第一绝缘间隔物的面对所述电阻存储器层的顶表面的第二距离，以及

所述电阻存储器层的所述底表面包括面对所述鳍部的所述顶表面的所述第一底表面、面对所述第一绝缘间隔物的所述第二底表面、以及在所述第一底表面与所述第二底表面之间的台阶。

9.根据权利要求5所述的存储器件，其中从所述第一导电线到所述鳍部的所述顶表面的第一距离小于从所述第一导电线到所述第一绝缘间隔物的面对所述电阻存储器层的顶表面的第二距离。

10.根据权利要求5所述的存储器件，其中从所述第一导电线到所述鳍部的所述顶表面的第一距离大于从所述第一导电线到所述第一绝缘间隔物的面对所述电阻存储器层的顶表面的第二距离。

11.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述电阻存储器层具有面对所述绝缘壁并在不平行于所述第一直线的方向上从所述鳍部朝所述第二导电线延伸的侧表面。