[发明专利]存储器件及制造其的方法

说明书

一种存储器件的存储单元柱包括具有基部(腿)和鳍部(出头部分)的加热电极、以及在第一导电线与加热电极之间的选择器件。选择器件的侧表面和鳍部的侧表面沿第一直线延伸。一种制造存储器件的方法包括形成穿过包括初始选择器件层和初始电极层的堆叠结构的多个第一绝缘壁、形成多个自对准的初始加热电极层、形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二绝缘壁、以及在沿着交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的多个孔中形成多个第三绝缘壁。

技术领域

本发明构思涉及存储器件以及涉及制造其的方法。更具体地，本发明构思涉及具有交叉点阵列结构的存储器件以及制造其的方法。

背景技术

已经提出的下一代集成非易失性存储器件是三维交叉点堆叠结构的存储器件，其中存储单元布置在彼此交叉的两个电极之间的交叉点处。此外，随着更轻、更薄且更小的电子设备的趋势，半导体器件产业中对更高度集成的半导体器件存在逐渐增大的需求。因此，存在增加集成并按比例缩小交叉点堆叠结构的存储器件的持续的要求。然而，减小构成存储器件(诸如三维交叉点堆叠结构的存储器件)的部件的尺寸对保持存储器件所需的可靠性带来了挑战。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器件，其包括：第一导电线，其在第一方向上在衬底之上延伸；第二导电线，其在交叉第一方向的第二方向上在第一导电线之上延伸；存储单元柱，其在第一导电线与第二导电线之间；以及在衬底之上的绝缘壁，该绝缘壁面对存储单元柱的侧表面，其中存储单元柱包括：加热电极层，其具有L形剖面并包括平行于第一导电线延伸的基部和在远离第一导电线的方向上从基部的端部延伸的鳍部；以及选择器件层，其在第一导电线与加热电极层之间，选择器件层的面对绝缘壁的侧表面和鳍部的面对绝缘壁的侧表面沿第一直线延伸。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造存储器件的方法，该方法包括：在衬底之上形成堆叠结构，堆叠结构包括初始选择器件层和初始电极层；形成延伸穿过堆叠结构的多个第一线空间；在所述多个第一线空间中形成多个第一绝缘壁，所述多个第一绝缘壁包括每个从堆叠结构向上凸出的凸起；形成覆盖所述多个第一绝缘壁的凸起的侧表面的多个初始加热电极层；形成多个第二线空间，所述多个第二线空间的每个位于所述多个第一绝缘壁中的两个之间，所述多个第二线空间延伸穿过堆叠结构；在所述多个第二线空间中形成多个第二绝缘壁，所述多个第二绝缘壁平行于所述多个第一绝缘壁延伸；通过去除所述多个初始加热电极层和堆叠结构的沿交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的部分而形成多个孔，该孔暴露初始选择器件层的部分从而形成多个选择器件层，该孔暴露初始电极层的部分从而形成多个电极层；以及在所述多个孔中形成多个第三绝缘壁，所述多个第三绝缘壁覆盖所述多个选择器件层的侧表面和所述多个电极层的侧表面。

根据本发明构思的再一个方面，提供了一种制造存储器件的方法，该方法包括：在衬底上按此陈述次序一个在另一个上地形成初始底电极层、初始选择器件层和初始中间电极层；形成延伸穿过初始中间电极层、初始选择器件层和初始底电极层的多个第一线空间；在所述多个第一线空间中形成多个第一绝缘壁，所述多个第一绝缘壁包括每个从初始中间电极层向上凸出的凸起；在初始中间电极层上形成多个初始加热电极层和多个初始第一绝缘间隔物，所述多个初始加热电极层和所述多个初始第一绝缘间隔物覆盖所述多个第一绝缘壁的侧表面；形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二线空间，所述多个第二线空间延伸穿过初始中间电极层、初始选择器件层和初始底电极层；在所述多个第二线空间中形成多个第二绝缘壁，所述多个第二绝缘壁平行于所述多个第一绝缘壁延伸；通过部分地去除所述多个初始加热电极层、所述多个初始第一绝缘间隔物、初始中间电极层、初始选择器件层和初始底电极层的沿交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的部分而形成多个孔；以及在所述多个孔中形成多个第三绝缘壁。