[发明专利]一种制造沟槽MOSFET的方法有效
| 申请号： | 201710942472.2 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107871787B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡金勇;廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括：在半导体衬底上形成外延半导体层；在外延半导体层中形成从第一表面延伸至其内部的沟槽；在沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体；形成体区、源区以及漏极电极，其中，在形成第二绝缘层的步骤中，采用至少部分地填充所述沟槽的上部的硬掩模对第二绝缘层进行图案化。形成第二绝缘层的步骤包括：在沟槽的上部形成共形的第二绝缘层，第二绝缘层覆盖沟槽的上部侧壁和屏蔽导体的顶部；在沟槽的上部填充多晶硅层；采用多晶硅层作为硬掩模，刻蚀去除第二绝缘层位于沟槽的上部侧壁上的部分；以及去除所述多晶硅层。本发明简化现有技术中形成沟槽MOSFET的工艺步骤，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 沟槽 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
一种制造沟槽MOSFET的方法，包括：在半导体衬底上形成具有第一掺杂类型的外延半导体层；在所述外延半导体层中形成从第一表面延伸至其内部的沟槽；在所述沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层位于所述沟槽的下部侧壁和底部，且将所述屏蔽导体与所述外延半导体层隔开；在所述屏蔽导体的顶部形成第二绝缘层；在所述沟槽的上部形成栅介质层和栅极导体，所述栅介质层位于所述沟槽的上部侧壁，且将所述栅极导体与所述外延半导体层隔开；形成体区、源区以及漏极电极；其中，在形成第二绝缘层的步骤中，采用至少部分地填充所述沟槽的上部的硬掩模对所述第二绝缘层进行图案化。
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