[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710938448.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599337A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有第一鳍部；形成位于第一鳍部中的第一初始掺杂层；对第一初始掺杂层的顶部进行凹槽处理工艺以形成第一掺杂层，所述第一掺杂层顶部具有凹槽，所述凹槽在第一鳍部宽度方向的剖面形状为“V”形；在第一掺杂层的外侧壁和顶部表面、以及所述凹槽的内壁表面形成第一金属硅化物层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 半导体器件 鳍部 衬底 半导体 金属硅化物层 处理工艺 顶部表面 内壁表面 剖面形状 外侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有第一鳍部；形成位于第一鳍部中的第一初始掺杂层；对第一初始掺杂层的顶部进行凹槽处理工艺以形成第一掺杂层，所述第一掺杂层顶部具有凹槽，所述凹槽在第一鳍部宽度方向的剖面形状为“V”形；在第一掺杂层的外侧壁和顶部表面、以及所述凹槽的内壁表面形成第一金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
