[发明专利]过孔逆角检测方法和装置有效
| 申请号： | 201710934949.2 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731704B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈赵豪;方宇立;张蕊;黄伟东;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种过孔逆角检测方法和装置，所述方法包括：采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。当过孔内侧边缘的金属层被刻蚀，使得射向过孔内的光线产生漫反射，使得过孔内的灰度值与过孔外的灰度值之间的差值较小，从而判定存在逆角，通过上述过程实现快速高效地对过孔的逆角的判定，能够有效检测出不良品的TFT阵列基板，避免不良品的TFT阵列基板进入后续工序进行加工，使得生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 孔逆角 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种过孔逆角检测方法，其特征在于，包括：采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
