[发明专利]过孔逆角检测方法和装置

说明书

本发明涉及一种过孔逆角检测方法和装置，所述方法包括：采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。当过孔内侧边缘的金属层被刻蚀，使得射向过孔内的光线产生漫反射，使得过孔内的灰度值与过孔外的灰度值之间的差值较小，从而判定存在逆角，通过上述过程实现快速高效地对过孔的逆角的判定，能够有效检测出不良品的TFT阵列基板，避免不良品的TFT阵列基板进入后续工序进行加工，使得生产成本较低。

技术领域

本发明涉及TFT制造技术领域，特别是涉及过孔逆角检测方法和装置。

背景技术

在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)array(阵列)的生产过程中，需要对金属层上的SiN(氮化硅)层进行蚀刻，在SiN层上形成过孔，使得过孔对应的金属层裸露。在过孔刻蚀中，如果出现逆角，表明SiN层与金属层生长的界面已被刻蚀，可推断过孔内侧边缘附近的金属已大部分被刻蚀。这样制备的TFT-array存在缺陷，如果投入至后续阶段的生产工艺中，将会产生不良品。而目前缺乏有效对过孔的逆角的检测方法，导致TFT-array不能及时返修，造成不良率较高，从而造成生产成本较高。

发明内容

基于此，有必要提供一种过孔逆角检测方法和装置。

一种过孔逆角检测方法，包括：

采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄，获取过孔图像；

解析所述过孔图像，获取过孔外的灰度值以及过孔内的灰度值；

检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值；

当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角。

在其中一个实施例中，所述当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，判定过孔存在逆角的步骤包括：

当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时，检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值；

当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。

在其中一个实施例中，所述检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值的步骤包括：

检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于第二预设阈值。

在其中一个实施例中，所述当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，判定所述过孔存在逆角的步骤包括：

当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时，根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线，检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量；

当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时，判定所述过孔存在逆角。

在其中一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：

检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于第一预设阈值。

在其中一个实施例中，所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括：

检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于第一预设阈值。