[发明专利]过孔逆角检测方法和装置有效
申请号: | 201710934949.2 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN107731704B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈赵豪;方宇立;张蕊;黄伟东;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 孔逆角 检测 方法 装置 | ||
1.一种过孔逆角检测方法,其特征在于,包括:
采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄,获取过孔图像;
解析所述过孔图像,获取所述过孔外的灰度值以及所述过孔内的灰度值,其中,所述过孔内是经过刻蚀SiN层后裸露的金属层,所述过孔外为SiN层;
检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值;
当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,判定所述过孔存在逆角,即判定所述过孔内侧边缘附近的金属已大部分被刻蚀,这样,导致金属层表面不平坦;
所述当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,判定所述过孔存在逆角的步骤包括:
当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值;
当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时,判定所述过孔存在逆角。
2.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值的步骤包括:
检测所述过孔内的灰度值的最大值与最小值之差是否大于所述第二预设阈值。
3.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时,判定所述过孔存在逆角的步骤包括:
当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时,根据所述过孔内的灰度值的波动获取所述过孔内的灰度值曲线,检测所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量是否大于第三预设阈值;
当所述过孔内的灰度值曲线的波峰和/或波谷的数量大于所述第三预设阈值时,判定所述过孔存在逆角。
4.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括:
检测所述过孔外的灰度值的平均值与所述过孔内的灰度值的平均值之差是否小于所述第一预设阈值。
5.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值的步骤包括:
检测所述过孔外的灰度值的最大值与所述过孔内的灰度值的最大值之差是否小于所述第一预设阈值。
6.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述第一预设阈值根据所述TFT阵列基板的制备工艺、以及所述过孔刻蚀工艺进行设定。
7.根据权利要求1所述的过孔逆角检测方法,其特征在于,所述采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄,获取过孔图像的步骤包括:
采用金相显微镜由垂直于所述TFT阵列基板的方向对所述TFT阵列基板进行拍摄,获取所述过孔图像。
8.一种过孔逆角检测装置,其特征在于,包括:
过孔图像获取模块,用于采用金相显微镜对TFT阵列基板进行拍摄,获取过孔图像;
灰度值获取模块,用于解析所述过孔图像,获取所述过孔外的灰度值以及所述过孔内的灰度值,其中,所述过孔内是经过刻蚀SiN层后裸露的金属层,所述过孔外为SiN层;
检测模块,用于检测所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差是否小于第一预设阈值;
判定模块,用于当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,判定所述过孔存在逆角,即判定所述过孔内侧边缘附近的金属已大部分被刻蚀,这样,导致金属层表面不平坦,所述当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,判定所述过孔存在逆角的步骤包括:
当所述过孔外的灰度值与所述过孔内的灰度值之差小于所述第一预设阈值时,检测所述过孔内的灰度值的波动是否大于第二预设阈值;
当所述过孔内的灰度值的波动大于所述第二预设阈值时,判定所述过孔存在逆角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造