[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710934059.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109659222B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供一个基底，并且在该基底上形成一个堆叠结构。接着，在该堆叠结构上形成一个图案化含硅掩模层，并通过该图案化含硅掩模层，部分移除该堆叠结构，而在该堆叠结构内形成多个开口。然后，进行一溴处理制作工艺，以在该图案化含硅掩模层的表面形成一溴化物层。最后，进行一溴化物升华步骤，完全移除该溴化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：提供一个基底；在该基底上形成一个堆叠结构；在该堆叠结构上形成一个图案化含硅掩模层；通过该图案化含硅掩模层，部分移除该堆叠结构，而在该堆叠结构内形成多个开口；进行一溴处理步骤，以在该图案化含硅掩模层的表面形成一溴化物层；以及进行一溴化物升华步骤，完全移除该溴化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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