[发明专利]一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法

摘要

一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200‑400nm，高温外延层厚度约为2‑5μm；然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离激光剥离外延层时，调节激光光束聚焦于样品，从蓝宝石一侧照射样品，蓝宝石对该入射激光透明，而ZnO对该激光有强烈吸收。本发明提出的获得ZnO基自支撑薄膜的剥离工艺简单，成本低，易于制备，有利于改善ZnO基光电子器件性能和制备柔性电子器件。

主权项

一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，其特征是ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200‑400nm，高温外延层厚度约为2‑5μm；然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离：激光剥离外延层时，调节激光光束聚焦于样品，从蓝宝石一侧照射样品，蓝宝石对该入射激光透明，而ZnO对该激光有强烈吸收。