[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710897713.6 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107611775B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 贾鹏;陈泳屹;秦莉;张建伟;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/34 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括：衬底，具有相对的第一表面以及第二表面；位于第一表面的图案化的外延功能层，外延功能层在第一方向上依次划分为高阶光栅耦合脊型波导、光波分束波导、脊型增益阵列波导以及自组织相干合束波导；高阶光栅耦合脊型波导产生单频单模的种子光源；光波分束波导位于高阶光栅耦合脊型波导出射光线的一端，将种子光源分束为多路激光；脊型增益阵列波导位于光波分束波导出射光线的一端，将多路激光进行增益放大；自组织相干合束波导位于脊型增益阵列波导出射光线的一端，将经过增益放大后的多路激光进行相干合成为一束输出光。本发明技术方案提高了输出光束的光束质量以及亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：/n衬底，具有相对的第一表面以及第二表面；/n位于所述第一表面的图案化的外延功能层，所述外延功能层在第一方向上依次划分为高阶光栅耦合脊型波导、MMI结构的光波分束波导、脊型增益阵列波导以及MMI结构的自组织相干合束波导；所述第一方向平行于所述第一表面；所述高阶光栅耦合脊型波导包括：在所述第一方向上依次排布的脊型波导以及高阶光栅；所述高阶光栅位于所述脊型波导出射光线的一端，且位于所述光波分束波导入射光线的一端；/n所述高阶光栅耦合脊型波导用于产生单频单模的种子光源；/n所述光波分束波导位于所述高阶光栅耦合脊型波导出射光线的一端，用于将所述种子光源分束为多路激光；/n所述脊型增益阵列波导位于所述光波分束波导出射光线的一端，用于将所述多路激光进行增益放大；/n所述自组织相干合束波导位于所述脊型增益阵列波导出射光线的一端，用于将经过增益放大后的所述多路激光进行相干合成为一束输出光；/n所述衬底为N型外延层衬底；所述半导体激光器为基于主动MMI波导结构的高光束质量半导体激光器，包括：由同一外延功能层制备出激光器波导结构；所述半导体激光器至下而上依次为第二金属电极、所述衬底、N型包层、N型光波导层、量子结构层、P型光波导层、P型包层以及第一金属电极，所述第二金属电极位于所述第二表面，所述第一金属电极覆盖所述高阶光栅耦合脊型波导、所述光波分束波导、所述脊型增益阵列波导以及所述自组织相干合束波导；所述半导体激光器中所有波导结构均由同一外延功能层制备而成。/n
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