[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

面积较小的一次性可编程半导体存储装置，利用CMOS工艺中能够寄生的PNPN，使两端以外的N、或两端以外的P处于浮动状态，从而使得流过PNPN电流、并将利用该电流的电阻的热破坏用作为存储元件。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于具有：设置在半导体衬底的第一第一导电型区域；与所述第一第一导电型区域相接的第一第二导电型区域；形成在所述第一第一导电型区域内的第二第二导电型区域；以及形成在所述第一第二导电型区域内的第二第一导电型区域，所述第一第一导电型区域与第二导电型电位电连接，在此，第二导电型电位在N型电位时为VSS、在P型电位时为VDD，所述第二第一导电型区域在中间夹着电阻而与第一导电型电位连接，所述第一第二导电型区域在中间夹着开关而与第一导电型电位连接，若所述开关导通，则所述第一第二导电型区域与第一导电型电位电连接，在此，第一导电型电位在N型电位时为VSS、在P型电位时为VDD，若所述开关截止，则所述第一第二导电型区域成为浮动状态，在使所述开关导通的状态下，从所述第二第二导电型区域进行电流注入的情况下，不进行数据的写入，在使所述开关截止的状态下，从所述第二第二导电型区域进行电流注入的情况下，利用PNPN电流流动的情况而进行数据的写入。