[发明专利]一类含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用有效
| 申请号： | 201710896869.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107698743B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 于贵;林祖樟;张卫锋;刘晓彤;王丽萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;北京科技大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm |
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| 搜索关键词： | 一类 含有 苯乙烯 噻吩 结构 共轭 聚合物 及其 在场 效应 晶体管 中的 应用 | ||
【主权项】：
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