[发明专利]具有集成二极管的晶体管器件

摘要

本发明提供一种具有集成二极管的晶体管器件包括二极管区、晶体管区和隔离区，二极管区具有多个阳极，晶体管区具有一个栅极、一个漏极和多个源极，多个源极沿着平行于漏极的长度方向布置，漏极和源极分别位于栅极的两侧，源极与阳极电连接后作为晶体管器件的源极；隔离区位于二极管区与晶体管区之间，二极管区与晶体管区通过隔离区进行电学隔离。当本发明的晶体管器件的栅极电压大于阈值电压时，若在漏极施加正向电压，则晶体管器件通过晶体管区导通；若在漏极施加负电压，则二极管区域先导通，电流不会被晶体管区的栅极关断，所以晶体管器件的反向导通电压不受晶体管器件阈值电压的制约，也不受施加在晶体管器件的栅极的负电压的影响。

主权项

1.具有集成二极管的晶体管器件，其特征在于：包括二极管区，所述二极管区具有多个阳极；晶体管区，所述晶体管区具有一个栅极、一个漏极和多个源极，多个所述源极沿着平行于所述漏极的长度方向布置，所述漏极和所述源极分别位于所述栅极的两侧，所述源极与所述阳极电连接后作为所述晶体管器件的源极；隔离区，所述隔离区位于所述二极管区与所述晶体管区之间，所述二极管区与所述晶体管区通过所述隔离区进行电学隔离，所述隔离区通过消除所述隔离区所在区域的导电沟道形成；所述阳极与所述源极交替排列，相邻的所述阳极与所述源极通过所述隔离区进行电学隔离。