[发明专利]一种MEMS温度传感器及其开关柜测温系统在审

专利信息
申请号: 201710889400.6 申请日: 2017-09-27
公开(公告)号: CN107727266A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 陈锦鹏;余占清;欧阳旭东;王晓蕊;邓惠华;牟亚;袁晓杰;郭琳;李少逸;蔡素雄;姚远;黄泽荣 申请(专利权)人: 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学
主分类号: G01K7/16 分类号: G01K7/16
代理公司: 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)11594 代理人: 王冲,吴鑫
地址: 516000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种MEMS温度传感器及其开关柜测温系统,所述温度传感器包括前端结构、后端电路、无线信号转换电路和供能电路,所述前端结构采用悬臂梁结构,一悬臂梁的一端固定,另一端悬空;并且所述悬臂梁为铝层和SOI器件层硅层的双层结构;所述后端电路包括CMOS开关电容放大器,所述CMOS开关电容放大器将所述前端结构生成的电信号进行放大;所述无线信号转换电路接收后端电路的所述电信号,并通过天线发送;所述供能电路用于通过无线方式对所述MEMS温度传感器供电。MEMS温度传感器实现了微小化、测温精度高、可靠性高,并且有效稳定地实现对开关柜温度的测量。
搜索关键词: 一种 mems 温度传感器 及其 开关柜 测温 系统
【主权项】:
一种MEMS温度传感器,其特征在于:所述温度传感器包括前端结构、后端电路、无线信号转换电路和供能电路,其中:所述前端结构采用悬臂梁结构,所述悬臂结构为:一悬臂梁的一端固定,另一端悬空;并且所述悬臂梁为双层结构,上层为铝层、下层为SOI器件层的硅层;所述后端电路包括CMOS开关电容放大器,所述CMOS开关电容放大器将所述前端结构生成的电信号进行放大;所述无线信号转换电路接收后端电路的所述电信号,并将接收的电信号通过天线发送;所述供能电路包括无线能量转换电路,用于通过无线方式对所述MEMS温度传感器供能。
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