[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途有效
| 申请号： | 201710885350.4 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107634000B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 | 申请（专利权）人： | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01N21/21 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 邹智弘 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 砷化镓 衬底 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
砷化镓衬底，在其呈现至少一个表面，所述表面在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中，基于150mm衬底直径作为参比，具有<6000的缺陷数和/或总缺陷面积小于2cm2，其中缺陷被定义为大于1000μm2的连续面积在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中偏离平均测量信号至少±0.05％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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