[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途

权利要求书

1.砷化镓衬底，其呈现至少一个表面，所述表面具有包含镓和砷的氧化物的表面氧化物层并且在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中，基于150 mm衬底直径作为参比，具有 100的缺陷数，即在衬底表面上平均每176.72mm²为最大1的缺陷数，和/或总缺陷面积小于2 cm²，即总缺陷面积为衬底表面的总面积的小于1.13%，其中缺陷被定义为大于1000 μm²的连续面积在采用光学表面分析仪的该表面氧化物层的椭圆偏振侧向衬底映射中偏离平均测量信号至少±0.05%，其中该砷化镓衬底的直径为至少100 mm，

其中该砷化镓衬底通过包括以下步骤的方法获得：

a) 提供砷化镓衬底；

b) 在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体将砷化镓衬底的至少一个表面进行氧化处理；

c)-1 使所述砷化镓衬底的所述至少一个表面与碱性水溶液接触；

c)-2 随后使所述砷化镓衬底的所述至少一个表面与水接触，和

c)-3 随后使所述砷化镓衬底的所述至少一个表面与酸性水溶液在作为氧化剂的臭氧存在下接触；

c)-4 使所述砷化镓衬底的所述至少一个表面与水接触，其中所述水至少最初含有pH值改变添加剂；

和

d) 马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。

2.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其中所述砷化镓衬底是经抛光和经表面精整的砷化镓衬底，其厚度不大于600μm。

3.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其中所述砷化镓衬底是经抛光和经表面精整的砷化镓衬底，其厚度不小于800μm。

4.根据权利要求1所述的砷化镓衬底，其中该至少一个表面在制备之后6个月内显示出归一化至相移信号的衬底平均值的1%分布百分位数和/或基于衬底直径150 mm为参比，缺陷数目和/或总缺陷面积的≤10%的在采用光学表面分析仪的椭圆偏振侧向衬底映射中的侧向分辨背景校正测量信号的变化。

5.根据权利要求4所述的砷化镓衬底，其中所述变化≤5%。

6.用于生产选自高频放大器、开关以及发光组件的组件结构的方法，包括如下步骤：

提供如权利要求1中所定义的砷化镓衬底，

任选地在储存提供的所述砷化镓衬底之后，通过外延沉积分别选自Ga-In-As-P-Al-N的可变元素的混合晶堆进行外延晶体生长，由此制备组件结构。

7.根据权利要求6的方法，其中在提供所述砷化镓衬底之后和在外延晶体生长以制备组件结构之前没有进行另外的表面预处理。