[发明专利]基于一维光子晶体耦合微腔的光学生物传感器制备方法

摘要

本发明公开了一种基于一维光子晶体耦合微腔的光学生物传感器制备方法，包括以下步骤：S1、清洗SOI样品；S2、将SOI样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘2～5min；S3、采用旋涂的方式在样品上涂覆光刻胶；S4、将样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘10～15min；S5、对样品进行电子束曝光，曝光图形为一维光子晶体耦合微环谐振腔结构；S6、对曝光处理后的样品依次进行显影、定影操作；S7、采用ICP对样品进行刻蚀操作；S8、对样品采用Piranha溶液清洗后，使用DI水冲洗，再采用HF溶液清洗，最后用DI水冲洗。本发明的制备方法制作的光学生物传感器具有灵敏度高、探测极限小、易于集成等特性，对设备要求简单，工艺上容易实现，适合大量生产。

主权项

1.基于一维光子晶体耦合微腔的光学生物传感器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、预处理，清洗SOI样品；S2、预烘，将经过预处理的SOI样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘2～5min，再冷却至室温；S3、涂胶，采用旋涂的方式在预烘处理后的样品上涂覆光刻胶；S4、后烘，将涂胶后的样品放置在在170～200℃温度的恒温箱中烘10～15min，再冷却至室温；S5、曝光，对后烘处理后的样品进行电子束曝光，曝光图形为一维光子晶体耦合微环谐振腔结构；S6、显影、定影，对曝光处理后的样品依次进行显影、定影操作，再用IPA溶液进行清洗；S7、刻蚀，采用ICP对显影定影处理后的样品进行刻蚀操作；S8、后处理，对刻蚀处理后的样品先采用Piranha溶液清洗后，然后使用DI水冲洗，再采用HF溶液进行清洗，最后用DI水冲洗。