[发明专利]金属内连线结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710867909.0 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545735B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈世宪;王明俊;王廷钧;张志圣 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法。该制作金属内连线结构的方法为，首先提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层，然后形成一第一金属内连线以及一第二金属内连线于第一金属间介电层内，去除部分第一金属间介电层以于第一金属内连线以及第二金属内连线之间形成一开口，进行一固化制作工艺，再形成一第二金属间介电层于第一金属内连线以及第二金属内连线上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作金属内连线结构的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层；形成一第一金属内连线以及一第二金属内连线于该第一金属间介电层内；去除部分该第一金属间介电层以于该第一金属内连线以及该第二金属内连线之间形成一开口；进行一固化制作工艺；以及形成一第二金属间介电层于该第一金属内连线以及该第二金属内连线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
