[发明专利]金属内连线结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710867909.0 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN109545735B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 陈世宪;王明俊;王廷钧;张志圣 申请(专利权)人: 蓝枪半导体有限责任公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/538
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 金属 连线 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种制作金属内连线结构的方法,包含:

提供一基底,该基底上设有一第一金属间介电层;

形成一第一金属内连线以及一第二金属内连线于该第一金属间介电层内;

形成一第一遮盖层于该第一金属间介电层、该第一金属内连线以及该第二金属内连线上;

进行一蚀刻制作工艺去除部分该第一遮盖层以及部分该第一金属间介电层以于该第一金属内连线以及该第二金属内连线之间形成一开口;

形成该开口后,进行一固化制作工艺;

形成一第二遮盖层于该第一遮盖层、该第一金属内连线以及该第二金属内连线上;以及

形成一第二金属间介电层于该第二遮盖层上并同时形成一气孔,其中该气孔的顶点高于未接触该第一遮盖层的部分该第二遮盖层的上表面,且低于设在该第一遮盖层正上方的该第二遮盖层的上表面。

2.如权利要求1所述的方法,其中该固化制作工艺包含一极紫外光固化制作工艺。

3.如权利要求2所述的方法,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含相同材料。

4.如权利要求3所述的方法,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含氮掺杂碳化物层(nitrogen doped carbide,NDC)。

5.如权利要求2所述的方法,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含不同材料。

6.如权利要求5所述的方法,其中该第一遮盖层包含氮掺杂碳化物以及该第二遮盖层包含金属氮化物。

7.如权利要求2所述的方法,其中该气孔是由该第二遮盖层以及该第二金属间介电层所环绕。

8.如权利要求2所述的方法,其中该气孔的顶点高于该第一金属内连线上表面。

9.如权利要求1所述的方法,其中该第一金属内连线上表面切齐该第一金属间介电层上表面。

10.如权利要求1所述的方法,其中该固化制作工艺的温度介于摄氏347度至摄氏424度。

11.如权利要求1所述的方法,其中该气孔的顶点高于该第一遮盖层的上表面。

12.一种金属内连线结构,包含:

基底,该基底上设有第一金属间介电层;

第一金属内连线以及第二金属内连线设于该第一金属间介电层内;

第一遮盖层,设于该第一金属间介电层上;

第二遮盖层,直接覆盖于该第一金属内连线以及该第二金属内连线的上表面和侧壁、该第一遮盖层,以及该第一金属内连线与该第二金属内连线之间的该第一金属间介电层的表面上;以及

气孔,设于该第一金属内连线以及该第二金属内连线之间并被该第二遮盖层环绕,其中该气孔的顶点高于该第一金属内连线的上表面,并高于未接触该第一遮盖层的部分该第二遮盖层的上表面,且低于设在该第一遮盖层正上方的该第二遮盖层的上表面。

13.如权利要求12所述的金属内连线结构,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含相同材料。

14.如权利要求13所述的金属内连线结构,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含氮掺杂碳化物层(nitrogen doped carbide,NDC)。

15.如权利要求12所述的金属内连线结构,其中该第一遮盖层以及该第二遮盖层包含不同材料。

16.如权利要求15所述的金属内连线结构,其中该第一遮盖层包含氮掺杂碳化物以及该第二遮盖层包含金属氮化物。

17.如权利要求12所述的金属内连线结构,还包含一第二金属间介电层设于该第二遮盖层上。

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