[发明专利]一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构有效
| 申请号： | 201710860959.6 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107764069B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张舸;董斌超;张学军;崔聪聪;曹琪;包建勋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | F27D5/00 | 分类号： | F27D5/00;C04B35/622;C04B35/573 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构，属于反应烧结碳化硅制备技术领域。本发明所述支撑结构由上石墨板、下石墨板和位于两石墨板中间的陶瓷球构成，主要是通过置于石墨板沉台内的陶瓷球实现滚动支撑；陶瓷球的滚动可以实现支撑区域位置的变化，而且支撑区域位置变化时只受陶瓷球的滚动摩擦力，由于陶瓷球的滚动摩擦力很小，坯体的热胀冷缩过程几乎不受支撑区域的约束限制，可以实现坯体的自由膨胀与收缩，大大减小烧结过程中坯体的应力，提高制备过程中的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 反应 烧结 碳化硅 过程 支撑 结构 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构，其特征在于：所述支撑结构包括上石墨板(5)、下石墨板(2)、等直径的陶瓷球(3)以及易挥发性固体(4)；上石墨板(5)和下石墨板(2)上对称加工有均匀分布的沉台；所述陶瓷球(3)在1500℃的高温下不变形，并且不与石墨以及硅蒸汽发生反应；所述易发挥性固体(4)为在烧结过程的真空条件下、在烧结过程的加热条件下或者在烧结过程的真空条件和加热条件下可快速挥发或者分解的固体；下石墨板(2)水平放置在坩埚(1)中，陶瓷球(3)置于下石墨板(2)沉台的中心处，陶瓷球(3)与下石墨板(2)沉台之间的空隙用易挥发性固体(4)填充，上石墨板(5)置于陶瓷球(3)上，陶瓷球(3)与上石墨板(5)沉台的中心点相接触；烧结时，将坯体(6)置于上石墨板(5)上。
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