[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201710858679.1 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107749422A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 林振国;谢志强;李建;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物半导体薄膜晶体管，在沟道层和源漏电极之间设置有半导体保护层，半导体保护层为(MO)x(NO)y，其中，0.1<x≤0.8，0.2≤y<0.9，且x+y＝1；其中，M为Zr、Si、Hf和W中的至少一种元素，N为Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一种元素。M元素能够起到提供半导体保护层载流子传输路径的作用，N元素能够起到提高半导体保护层化学稳定性、增加半导体保护层抗酸刻蚀性及控制氧化物半导体保护层体内载流子浓度的作用，能够使得上述氧化物半导体薄膜晶体管既能避免湿法刻蚀时对背沟道的损伤问题，更好地保护沟道层，又不必增加一道制备刻蚀阻挡层的工序。还能调控氧化物薄膜晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，在沟道层和源漏电极之间设置有半导体保护层，所述半导体保护层为(MO)x(NO)y，其中，0.1<x≤0.8，0.2≤y<0.9，且x+y＝1；其中，M为Zr、Si、Hf和W中的至少一种元素，N为Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一种元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利（惠州）智能显示有限公司，未经信利（惠州）智能显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710858679.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
