[发明专利]一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法及基于其的光伏器件有效
申请号: | 201710853055.0 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107620052B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 罗派峰;周圣稳;周宇罡;夏伟 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开了一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法及基于其的光伏器件,是分两步制备混合阳离子钙钛矿薄膜,首选将无机阳离子Cs |
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搜索关键词: | 一种 甲脒铯铅碘钙钛矿 薄膜 化学 沉积 制备 方法 基于 器件 | ||
【主权项】:
一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)CsxPbI2+x前驱体溶液的制备:按摩尔比1:x将PbI2和CsI粉末溶于DMF和DMSO的混合溶剂中,形成浓度为1mol/L的CsxPbI2+x前驱体溶液;0≤x≤1;(2)CsxPbI2+x前驱体薄膜的制备:在基底上旋涂CsxPbI2+x前驱体溶液,之后放置于加热平台上退火,得到CsxPbI2+x前驱体薄膜;(3)FA1‑xCsxPbI3薄膜的制备:将CsxPbI2+x前驱体薄膜转移至管式炉中,采用原位化学气相沉积方法在薄膜旁边放置FAI粉末,并将石英管中气压抽至0.001Pa~100Pa,然后将管式炉温度升至175℃,保温30~120min后,自然冷却至室温,取出,即得到FA1‑xCsxPbI3薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的