[发明专利]晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备在审
申请号: | 201710852812.2 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107978545A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 杨尚烈;全教准;李根泽;林钟欣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请提供晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备。一种晶片舟组件包括舟、基座和底座。所述舟包括承托晶片的槽和包含气体管线的杆。所述基座包括第一表面、与所述第一表面相反的第二表面以及与所述气体管线耦接的连接管线。所述底座位于所述基座的第二表面上,使所述基座旋转,并向所述连接管线供应气体。所述舟位于所述基座的第一表面上。所述气体沿所述气体管线流动,并从所述杆与所述晶片接触的位置被喷散,以使所述晶片浮起。 | ||
搜索关键词: | 晶片 组件 包含 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种晶片舟组件,包括:舟,其包括承托晶片的槽和包含气体管线的杆;基座,其包括第一表面、与所述第一表面相反的第二表面以及与所述气体管线耦接的连接管线;以及底座,其位于所述基座的第二表面上,使所述基座旋转并向所述连接管线供应气体,其中所述舟位于所述基座的第一表面上,并且其中所述气体沿所述气体管线流动,并从所述杆与所述晶片接触的位置被喷散,以便使所述晶片浮起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造