[发明专利]晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备

说明书

相关申请的交叉引用

通过引用将2016年10月25日提交的发明名称为“Wafer Boat Assembly and Substrate Processing Apparatus Including the Same”的韩国专利申请No.10-2016-0139532全文并入本文。

技术领域

本文中描述的一个或多个实施例涉及晶片舟组件以及包括晶片舟组件的衬底处理设备。

背景技术

可以采用各种工艺制造半导体器件。例子包括光刻、蚀刻、扩散、化学气相沉积和离子注入。可以对一个或多个晶片有选择地和/或重复地执行这些工艺。例如，可以采用化学气相沉积在晶片上形成薄膜。在这样的工艺中，将晶片垂直堆叠在反应室中的舟内，之后对其加热。在处理过程中可能发生很多问题。在高温处理过程中可能出现的一个问题是晶片翘曲。这一问题可能会在晶片与所述舟物理接触的位置处导致缺陷(例如，刮擦(scratch)、滑移(slip)等)。

发明内容

根据一个或更多个实施例，一种晶片舟组件包括：舟，其包括承托晶片的槽和包含气体管线的杆；基座，其包括第一表面、与所述第一表面相反的第二表面以及与所述气体管线耦接的连接管线；以及底座，其位于所述基座的第二表面上，使所述基座旋转并向所述连接管线供应气体，其中所述舟位于所述基座的第一表面上，并且其中所述气体沿所述气体管线流动，并从所述杆与所述晶片接触的位置被喷散，以便使所述晶片浮起。

根据一个或更多个其它实施例，一种衬底处理设备包括工艺管以及晶片舟组件。所述晶片舟组件包括：舟，其包括承托晶片的槽和包含气体管线的杆；基座，其包括第一表面、与所述第一表面相反的第二表面以及与所述气体管线耦接的连接管线；以及底座，其位于所述基座的第二表面上，使所述基座旋转并向所述连接管线供应气体，其中所述舟位于所述基座的第一表面上，并且其中所述气体沿所述气体管线流动，并从所述杆与所述晶片接触的位置被喷散，以便使所述晶片浮起。

根据一个或更多个其它施例，一种晶片舟组件包括：舟，其包括具有内部气体管线的杆；基座，其具有与所述气体管线耦接的连接管线；以及底座，其使所述基座旋转并向所述连接管线供应气体，其中所述气体被喷散以使晶片浮起。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，在附图中：

图1示出了衬底处理设备的实施例；

图2示出了舟的实施例；

图3示出了舟内的部分A的实施例；

图4示出了根据一个实施例的、舟位于基座上并连接至该基座的状态；

图5示出了晶片舟组件内的底座单元的实施例；并且

图6示出了根据一个实施例的、在晶片舟组件内底座单元连接至基座和舟的状态。

具体实施方式

图1示出了衬底处理设备1的实施例的截面图，衬底处理设备1可以具有垂直型反应室结构并且可以包括工艺管10和侧壁绝缘构件20。

工艺管10可以在与反应腔对应的高度方向上垂直延伸。工艺管10可以包括位于外管11中的内管12。内管12可以具有包括开放的上部和开放的下部的预定(例如，圆柱形)形状。内管12可以容纳舟100，多个晶片W在垂直方向(例如，高度方向)上堆叠在所述舟内。

外管11可以具有包括闭合的上部和开放的下部的预定(例如，圆柱形)形状，并且可以密封内管12。外管11的上部可以具有例如类似于穹顶形状的凸面结构。外管11和内管12可以由例如耐热材料形成，所述耐热材料例如为石英和碳化硅。

侧壁绝缘构件20可以具有预定(例如，基本呈圆柱形的)形状。侧壁绝缘构件20可以具有内部空间S，并且可以将工艺管10容纳于其内。侧壁绝缘构件20可以由例如具有高绝缘性能的材料(例如，陶瓷)形成。

加热线路可以位于侧壁绝缘构件20的内表面上，从而对工艺管10加热。所述加热线路可以在从侧壁绝缘构件20的下端部向着其上端部的方向上、在侧壁绝缘构件20的内表面上延伸为具有螺旋形式。所述加热线路可以从外部电源接收电力，以便将所述内部空间S加热到预定温度分布。

岐管30可以用于支撑工艺管10。歧管30可以位于外管11下方，并且具有包括开放的上部和开放的下部的预定的(例如，基本呈圆柱形的)形状。歧管30可以由钢或者另外的材料制成。