[发明专利]用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法

摘要

在完全耗尽的SOI晶体管中，可以为不同类型的晶体管提供专门设计的半导体材料，从而例如能够减少需要在适度高的操作电压下操作的晶体管中的热载流子注入。为此，可以选择性地针对一种类型的晶体管应用良好可控的外延生长技术，同时不会过度地影响不同类型晶体管的材料特性的调整。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一器件区域中的掩埋绝缘层上方外延生长第一半导体层的一部分，在执行所述外延生长工艺之后所述第一半导体层具有第一厚度；在第二器件区域中的所述掩埋绝缘层上方形成第二厚度的第二半导体层，所述第二厚度不同于所述第一厚度；在所述第一半导体层之中和之上形成第一晶体管元件；以及在所述第二半导体层之中和之上形成第二晶体管元件，所述第二晶体管元件包括完全耗尽的沟道区域。