[发明专利]用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一器件区域中的掩埋绝缘层上方外延生长第一半导体层的一部分，在执行外延生长工艺之后所述第一半导体层具有第一厚度；

在第二器件区域中的所述掩埋绝缘层上方形成第二厚度的第二半导体层，所述第二厚度不同于所述第一厚度，其中形成所述第二半导体层包括在外延生长所述第一半导体层的所述部分之前，外延生长所述第二半导体层的一部分以获得所述第二厚度；

在形成所述第二半导体层之后并在外延生长所述第一半导体层的所述部分之前，形成覆盖所述第二器件区域但暴露所述第一器件区域的掩模层，其中外延生长所述第一半导体层的所述部分包括通过使用所述掩模层选择性地外延生长所述第一半导体层的所述部分；

在所述第一半导体层之中和之上形成第一晶体管元件；以及

在所述第二半导体层之中和之上形成第二晶体管元件，所述第二晶体管元件包括完全耗尽的沟道区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述掩模层包括：氧化所述第一和第二器件区域中的半导体材料以便调整所述第一和第二半导体层的初始层厚度，以及去除所述第一器件区域上方的氧化部分。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：形成覆盖所述第一器件区域但暴露所述第二器件区域的硬掩模，以及处理所述第二半导体层以便获得所述第二厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中外延生长所述第二半导体层的一部分包括生长化合物半导体材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述化合物半导体材料包括锗。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第二半导体层上形成帽层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述帽层包括通过在氧化环境中执行热处理来调整所述第二半导体层中的原子种的比。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第一半导体层上热生长具有用于形成所述第一晶体管元件的栅电极结构所需的厚度的氧化物层。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一器件区域和第二器件区域上方提供初始半导体层，所述初始半导体层形成在掩埋绝缘层的上方；

通过至少使用所述初始半导体层的第一部分作为生长模板，在所述第一器件区域中选择性地执行第一外延生长工艺以便形成第一半导体层；

在所述第一外延生长工艺之前，通过至少使用所述初始半导体层的第二部分作为生长模板，在所述第二器件区域中执行第二外延生长工艺以便形成第二半导体层；

在所述第二外延生长工艺之后以及在执行所述第一外延生长工艺之前，在所述第二器件区域上方形成硬掩模层；

在所述第一半导体层之中和之上形成第一晶体管元件；以及

在所述第二半导体层之中和之上形成第二晶体管元件，所述第二晶体管元件包括完全耗尽的沟道区域。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在所述第一半导体层上形成保护性氧化物层。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在使用所述硬掩模层作为生长掩模的同时，在所述第一半导体层上热生长氧化物层，所述氧化物层具有用于形成所述第一晶体管元件的栅电极结构所需的厚度。