[发明专利]SONOS存储器栅极结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS存储器栅极结构的制造方法，包括步骤步骤一、依次形成ONO层、多晶硅栅和顶部氧化层；步骤二、光刻定义出栅极结构的形成区域依次对顶部氧化层和多晶硅栅进行刻蚀；步骤三、依次沉积第一侧墙氧化层和第二侧墙氮化层；步骤四、采用全面刻蚀工艺依次对第二侧墙氮化层、第一侧墙氧化层和ONO层进行刻蚀，自对准形成的侧墙结构和位于多晶硅栅和所述侧墙结构的底部的ONO层。本发明能提高器件的可靠性，还能节约工艺成本。

主权项

一种SONOS存储器栅极结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成ONO层、多晶硅栅和顶部氧化层；所述ONO层包括依次叠加于所述半导体衬底表面的第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层；步骤二、光刻定义出栅极结构的形成区域，根据光刻定义依次对所述顶部氧化层和所述多晶硅栅进行刻蚀，刻蚀停止于所述ONO层表面，刻蚀后所述栅极结构的形成区域外的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅都被去除，所述栅极结构的形成区域的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅保留；步骤三、依次沉积第一侧墙氧化层和第二侧墙氮化层；步骤四、采用全面刻蚀工艺依次对所述第二侧墙氮化层、所述第一侧墙氧化层和所述ONO层进行刻蚀，刻蚀后在所述多晶硅栅侧面自对准形成由所述第一侧墙氧化层和所述第二侧墙氮化层叠加形成的侧墙结构，所述ONO层在刻蚀后也自对准位于所述多晶硅栅和所述侧墙结构的底部，形成由所述ONO层、所述多晶硅栅、所述顶部氧化层和所述侧墙结构组成的栅极结构；所述ONO层的边缘和所述侧墙结构的边缘对齐，防止所述ONO层的边缘凹陷到所述多晶硅栅的底部，从而提高器件的可靠性。