[发明专利]确定集成芯片上的受监测层的特性的方法有效
| 申请号： | 201710831980.3 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231615B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;江典蔚;游文俊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种确定集成芯片上的受监测层的特性的方法。在一些实施例中，可通过在衬底上方形成集成芯片结构而执行所述方法。所述方法进一步包含在所述集成芯片结构上方形成监测层。所述监测层包含多个监测垫。所述方法还包含测量所述多个监测垫的一组监测垫之间的电性质。所述一组监测垫横向间隔达监测垫距离。基于所述经测量电性质确定所述组监测垫之间的所述监测垫距离下方的所述集成芯片结构的区域的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 集成 芯片 监测 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：在衬底上方形成集成芯片结构；在所述集成芯片结构上方形成监测层，其中所述监测层包含多个监测垫；测量所述多个监测垫的一组监测垫之间的电性质，其中所述组监测垫横向间隔一监测垫距离；及至少部分基于所述经测量电性质确定所述组监测垫之间的所述监测垫距离下方的所述集成芯片结构的区域的特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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