[发明专利]W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构有效
| 申请号： | 201710830761.3 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107731796B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 施永荣;张君直 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/66;H01L23/538;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构，该垂直互连结构包括GaAs单片集成电路自身的50欧姆微带传输线，硅基板过孔和倒装焊料球构成的类同轴线结构，硅基板上带电容补偿的50欧姆平面类同轴传输线结构；GaAs单片集成电路正装在衬底介质基板上，倒装在上层硅基板上；硅基板上50欧姆平面类同轴传输线结构具有阻抗匹配结构。本发明能够实现GaAs单片集成电路在天馈一体化三维垂直互连系统级封装架构中毫米波信号的宽频带传输，通过该垂直互连结构可以有效地将GaAs单片集成电路集成到小型化的天馈一体化三维微系统中，极大地丰富了W波段系统及封装可选芯片的种类和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 砷化镓 单片 集成电路 三维 系统 封装 垂直 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构，其特征在于，包括衬底介质基板(1)、硅基板上BCB介质(2)、硅基板(3)、衬底介质基板中金属化柱(4)、第一焊料球(5)、衬底介质基板中金属化柱阵列(6)、GaAs芯片衬底(7)、GaAs芯片上50欧姆微带传输线(8)BCB介质表面金属平面(9)、衬底介质基板上表面金属(11)、BCB介质中金属化柱(12)、BCB介质中50欧姆平面类同轴传输线的中心导体(13)和第二焊料球(15)；BCB介质(2)设置在衬底介质基板(1)和硅基板(3)之间，GaAs芯片衬底(7)设置在BCB介质(2)和衬底介质基板(1)之间，第一焊料球(5)用于连接BCB介质表面金属和衬底介质基板上表面金属(11)，第二焊料球(15)用于连接中心导体(13)和GaAs芯片上50欧姆微带传输线(8)。
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