[发明专利]沟槽型半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710828440.X | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107634095A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 金锐;杨晓鸾;许生根;姜梅;董少华;崔磊 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法，其半导体基板包括第一导电类型基区，所述元胞区采用沟槽结构，元胞沟槽设置于第一导电类型基区内，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在每个元胞沟槽的槽底外均设置第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层包覆元胞沟槽的槽底；在每个元胞沟槽下部的外侧均设置第一导电类型浮空层，第一导电类型浮空层位于第一导电类型基区内，所述第一导电类型浮空层包裹第二导电类型浮空层以及元胞沟槽的下部，第二导电类型浮空层与第一导电类型浮空层以及元胞沟槽的槽底外壁邻接。本发明在较小的元胞尺寸下，仍同时具备较好的击穿特性和正向导通的特性，具有较宽的短路安全工作区，与现有半导体工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体基板以及设置于所述半导体基板中心区的元胞区，半导体基板包括第一导电类型基区，所述元胞区采用沟槽结构，元胞沟槽设置于第一导电类型基区内，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在每个元胞沟槽的槽底外均设置第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层包覆元胞沟槽的槽底；其特征是：在每个元胞沟槽下部的外侧均设置第一导电类型浮空层，第一导电类型浮空层位于第一导电类型基区内，所述第一导电类型浮空层包裹第二导电类型浮空层以及元胞沟槽的下部，第二导电类型浮空层与第一导电类型浮空层以及元胞沟槽的槽底外壁邻接。
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