[发明专利]CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法

摘要

本发明公开了一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法，其于玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，自CVD制程机台的进出口退出的过程中，由传感器感应触发信号，控制拍摄单元以单色灯源照射配合拍摄镜头拍摄该完成沉膜的玻璃基板的图像，撷取玻璃基板上CVD沉膜与玻璃基板边缘的视觉测量计算，并记录至储存单元，由判定单元比对沉膜偏移距离，自动进行CVD沉膜偏移测量与监控，满足实时并量化的监控机制。

主权项

1.一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法，其将一测量与监控系统架设在一CVD制程机台外侧，该CVD制程机台正面设有一出入口，该测量与监控系统包含：一拍摄单元、一储存单元及一判定单元，该拍摄单元具有两个灯源、至少一传感器及两个拍摄镜头，该两个灯源朝下设置于该CVD制程机台的出入口上方两侧，该传感器设置于该CVD制程机台的出入口周边，该两个拍摄镜头朝上设置于该CVD制程机台的出入口下方两侧，该CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法包含以下步骤：(1)玻璃基板由CVD制程机台的出入口放入进行通电沉膜制程，当玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，由CVD制程机台的出入口退出时，由拍摄单元的传感器感应触发信号；(2)于完成沉膜的玻璃基板退出CVD制程机台的出入口的过程中，控制拍摄单元的两个灯源照射配合两个拍摄镜头拍摄该完成沉膜的玻璃基板的图像，撷取玻璃基板上CVD沉膜与玻璃基板边缘的偏移测量数据；(3)撷取记录玻璃基板帐料信息与沉膜偏移偏移测量数据至储存单元；(4)由判定单元比对上述的偏移测量数据，如沉膜偏移距离超出预设值，即判定为不良品，交由产线人员进行后续处理，如沉膜偏移距离未超出预设值，即判定为良品，输送至下一流程进行后续作业。