[发明专利]CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法

说明书

本发明公开了一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法，其于玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，自CVD制程机台的进出口退出的过程中，由传感器感应触发信号，控制拍摄单元以单色灯源照射配合拍摄镜头拍摄该完成沉膜的玻璃基板的图像，撷取玻璃基板上CVD沉膜与玻璃基板边缘的视觉测量计算，并记录至储存单元，由判定单元比对沉膜偏移距离，自动进行CVD沉膜偏移测量与监控，满足实时并量化的监控机制。

技术领域

本发明是有关于一种测量与监控方法，尤指一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法。

背景技术

现况TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)制程皆是使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，电浆增强化学气相沉积)，CVD为高温制程，且有大量化学气体流入，玻璃基板亦会因为高温形变，易使得玻璃基板位置位移造成破片，遮蔽框(Shadow Frame)可固定玻璃基板，避免位移发生破片。

是以TFT CVD沉膜制程需要通过遮蔽框覆盖玻璃，再进行通电沉膜动作，然而一旦机台真空内自动控制装置定位(Robot Alignment)偏移，使得遮蔽框覆盖玻璃不完全，便会造成玻璃在真空室(Chamber)内破片或制程中产生Mura(亮度不均匀造成各种痕迹)问题发生，目前产线做法是由人员以定时抽验与目视方法进行监控，凸显现况机台制程欠缺实时沉膜偏移监控机制，作为预防机台故障前或产品异常发生后的预测及监控方法，如此不仅浪费人力，无法达到实时监控，并且监控的效果不佳。

发明内容

有鉴于现有技术CVD沉膜偏移制程异常，是由人员以定时抽验与目视方法进行监控，具有上述缺点，为解决上述缺点，本发明提供一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法。

本发明提供一种CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法，其将一测量与监控系统架设在一CVD制程机台外侧，该CVD制程机台正面设有一出入口，该测量与监控系统包含：一拍摄单元、一储存单元及一判断单元，该拍摄单元具有两个单色灯源、至少一传感器及两个拍摄镜头，该两个单色灯源朝下设置于该CVD制程机台的出入口上方两侧，该传感器设置于该CVD制程机台的出入口周边，该二拍摄镜头朝上设置于该CVD制程机台的出入口下方两侧，该CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法包含以下步骤：(1)玻璃基板由CVD制程机台的出入口放入进行通电沉膜制程，当玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，由CVD制程机台的出入口退出时，由拍摄单元的传感器感应触发信号；(2)于完成沉膜的玻璃基板退出CVD制程机台的出入口的过程中，控制拍摄单元的两个单色灯源照射配合两个拍摄镜头拍摄该完成沉膜的玻璃基板的图像，快速撷取玻璃基板上CVD沉膜与玻璃基板边缘的偏移测量数据；(3)撷取记录玻璃基板帐料信息与沉膜偏移测量数据至储存单元；(4)由判定单元比对上述偏移量测数据，如沉膜偏移距离超出预设值，即判定为不良品，交由产线人员进行后续处理，如沉膜偏移距离未超出预设值，即判定为良品，输送至下一流程进行后续作业。

本发明CVD沉膜偏移制程异常的测量与监控方法的主要目的，在于其每一片玻璃基板经CVD制程机台进行沉膜后，由CVD制程机台的出入口退出时，都可自动进行CVD沉膜偏移测量与监控，满足实时并量化的监控机制，达到节省人力及全面性监控。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图2是本发明拍摄单元设置于CVD制程机台上的立体图。

图3是本发明拍摄单元的拍摄动作示意图。

图4是本发明的流程方块图。

附图标记

10 测量与监控系统

11 拍摄单元