[发明专利]一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃，维持1小时以上，然后冷却至350‑550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30‑90℃反应10‑180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。

主权项

1.一种插层氧化钼单晶膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃，维持1小时以上，然后冷却至350‑550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；（2）将SnCl2溶于去离子水中，配制成前驱体溶液，加入上述氧化钼单晶片，将反应体系加热至30‑90℃反应10‑180 min，所得产物洗涤若干次后得到插层氧化钼单晶片悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜；步骤（2）中，SnCl2与氧化钼单晶片的摩尔比应大于1:5；步骤（2）所述的前驱体溶液中要添加酒石酸或柠檬酸。