[发明专利]一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710800117.1 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107663648B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;何锐辉;王雨 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B29/68 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 郭炜绵 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化钼 插层 单晶膜 单晶片 悬浮液 衬底 制备 离子 反应体系加热 三氧化钼粉末 导电性 范德瓦尔斯 大气环境 金属离子 近红外光 光响应 氧空位 层间 抽滤 水中 加热 洗涤 冷却 响应 | ||
【权利要求书】：
1.一种插层氧化钼单晶膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580-880℃，维持1小时以上，然后冷却至350-550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；
（2）将SnCl2溶于去离子水中，配制成前驱体溶液，加入上述氧化钼单晶片，将反应体系加热至30-90℃反应10-180 min，所得产物洗涤若干次后得到插层氧化钼单晶片悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜；
步骤（2）中，SnCl2与氧化钼单晶片的摩尔比应大于1:5；
步骤（2）所述的前驱体溶液中要添加酒石酸或柠檬酸。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的衬底是石英、刚玉或陶瓷材料。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述的产物洗涤是采用丙酮、乙醇、异丙醇或去离子水洗涤。
4.一种插层氧化钼单晶膜，其特征在于：是由权利要求1-3任一项所述的方法制得。
5.权利要求4所述的插层氧化钼单晶膜在光电探测器件中的应用。
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