[发明专利]一种离子注入机钨金属污染的监控方法有效
| 申请号： | 201710796722.6 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107579027B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张立;袁立军;赖朝荣 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种离子注入机钨金属污染的监控方法，包括下列步骤：测量BF2+的质谱分析曲线，并获取所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值；测量WF++的质谱分析曲线，并获取所述WF++质谱分析曲线的最大束流值；计算所述WF++质谱分析曲线的最大束流值与所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值的比值，从而得到在BF2+注入时钨金属污染的比例。本发明提出的离子注入机钨金属污染的监控方法，与通常电感耦合等离子体分析仪(ICPMS)量测控片的金属含量来对金属钨进行监控的方法相比，可以较快完成金属污染监控，节省时间、无需消耗控片晶圆、测试稳定性好，能够更好，更快的对离子注入机进行金属钨监控，降低监控成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 金属 污染 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入机钨金属污染的监控方法，其特征在于，包括下列步骤：测量BF2+的质谱分析曲线，并获取所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值；测量WF++的质谱分析曲线，并获取所述WF++质谱分析曲线的最大束流值；计算所述WF++质谱分析曲线的最大束流值与所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值的比值，从而得到在BF2+注入时钨金属污染的比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
