[发明专利]一种离子注入机钨金属污染的监控方法有效
申请号: | 201710796722.6 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107579027B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张立;袁立军;赖朝荣 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 金属 污染 监控 方法 | ||
1.一种离子注入机钨金属污染的监控方法,其特征在于,包括下列步骤:
测量BF2+的质谱分析曲线,并获取所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值;
测量WF++的质谱分析曲线,并获取所述WF++质谱分析曲线的最大束流值;
计算所述WF++质谱分析曲线的最大束流值与所述BF2+质谱分析曲线的最大束流值的比值,从而得到在BF2+注入时钨金属污染的比例;
将计算得到的钨金属污染比例与设定的长期规格进行比较,当超过规格时,分析原因并进一步检查机台是否存在异常,排除问题后重新进行监测。
2.根据权利要求1所述的离子注入机钨金属污染的监控方法,其特征在于,所述BF2+离子束流的原子量设定为49±0.5,能量范围为10到35KeV,束流大小范围为3到15mA。
3.根据权利要求1所述的离子注入机钨金属污染的监控方法,其特征在于,所述质谱分析曲线通过离子注入机的质谱仪和法拉第电流探测器进行测量后获取。
4.根据权利要求3所述的离子注入机钨金属污染的监控方法,其特征在于,所述测量BF2+的质谱分析曲线步骤中,质谱仪原子量设定范围为47到51,设定原子量间隔为0.5以内,逐步扫描,得出设定范围内BF2+的质谱分析曲线。
5.根据权利要求3所述的离子注入机钨金属污染的监控方法,其特征在于,所述测量WF++的质谱分析曲线步骤中,质谱仪原子量设定范围为98到106,设定原子量间隔为0.5以内,逐步扫描,得出设定范围内WF++的质谱分析曲线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710796722.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种精准的落球试验机
- 下一篇:一种定向跌落试验装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造