[发明专利]一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710796080.X | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107546341B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;李刚;姚婷婷;金克武;沈洪雪;王天齐;彭赛奥;甘治平 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm；本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能；对Ag膜层采用等离子体辐照，使Ag膜层成膜质量更好，整个复合膜系具有更好的透过率和导电性；SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 多层 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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