[发明专利]一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710796080.X 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN107546341B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 杨勇;李刚;姚婷婷;金克武;沈洪雪;王天齐;彭赛奥;甘治平 申请(专利权)人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/48
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 多层 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、清洗柔性基底;

S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;

S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;

S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;

S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm。

2.根据权利要求1所述的一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,所述柔性基底采用聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S4在真空腔内通入Ar气,Ar气流量为30~60sccm,真空腔压强维持在5~10Pa;利用射频电源对Ar气进行离化,射频功率20~40W,对Ag膜层的辐照时间为10~30s。

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