[发明专利]还原氧化石墨烯、其制备方法及包含它的器件在审
| 申请号： | 201710795144.4 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109455948A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曾炜;陶肖明 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;D06M11/83;D06M11/74;C08J7/06;H01L35/34;H01L35/12;G01D5/26;C08L67/02;C08L83/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国香港九龙红磡理*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 提供一种还原氧化石墨烯的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一种基体；S2：在所述基体表面形成铜膜；S3：改进的Hummer法形成GO分散液；以及S4：将从S2步骤中得到的表面覆铜膜的基体浸没于所述氧化石墨烯分散液中一定时间后取出，在所述基体表面形成所述还原氧化石墨烯。还提供一种如上方法制备的还原氧化石墨烯、包括基体和形成基体上的石墨烯薄膜形成的热电薄膜、及包含该还原氧化石墨烯和该热电薄膜的器件。本发明可以形成高导电率石墨烯，同时可以在基体上制备大面积、连续的还原氧化石墨烯薄膜。同时，该方法过程简单、成本低、容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 还原氧化石墨烯 制备 基体表面 热电薄膜 石墨烯薄膜 氧化石墨烯 分散液中 高导电率 器件提供 分散液 石墨烯 浸没 覆铜 铜膜 薄膜 取出 改进 | ||
【主权项】：
1.一种还原氧化石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一种基体；S2：在所述基体表面形成2‑30nm厚的铜膜；S3：将浓H2SO4、NaNO3和石墨粉置于容器中，在冰浴条件下搅拌；然后将KMnO4加入混合物中搅拌；之后将去离子水滴加到混合物中并同时搅拌得到黄褐色分散体系；用去离子水将黄褐色分散体系稀释，将H2O2滴入稀释的泥浆中直到黄褐色分散体系变成金黄色；待降温至室温后用去离子水离心洗涤至PH值到5‑6，得到氧化石墨烯分散液；以及S4：将从S2步骤中得到的表面覆铜膜的基体浸没于所述氧化石墨烯分散液中一定时间后取出，在所述基体表面形成所述还原氧化石墨烯。
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