[发明专利]光学装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710794560.2 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107808887B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 彭宇民;黄敬涵;赖律名 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 萧辅宽 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光学装置。所述光学装置包括一电子组件、多个光传导支柱以及一不透明层。所述电子组件包含多个像素。所述光传导支柱中的每一者安置于所述电子组件的所述多个像素的对应像素上方。所述不透明层覆盖所述光传导支柱中的每一者的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光学装置，其包括：电子组件，其包含多个像素；多个光传导支柱，所述光传导支柱中的每一者安置于所述电子组件的所述多个像素的对应像素上；以及不透明层，其覆盖所述光传导支柱中的每一者的侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
