[发明专利]利用曝光用掩膜的曝光方法有效
申请号: | 201710790213.2 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107807492B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 崔容硕;朴栽洪;姜珉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种利用曝光用掩膜的曝光方法,曝光用掩膜包括:普通区域;第一边缘位置区域,与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元;第二边缘位置区域,与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻,并被划分成多个单元,且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案,在所述第一边缘位置区域中,在第一单元内形成有A图案,在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案,如果所述A图案和所述B图案被双重曝光,则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。 | ||
搜索关键词: | 利用 曝光 用掩膜 方法 | ||
【主权项】:
一种曝光方法,包括:利用曝光用掩膜而曝光第一照射的步骤;以及利用所述曝光用掩膜而以与所述第一照射部分重叠的方式曝光第二照射的步骤,所述曝光用掩膜包括:普通区域;第一边缘位置区域,与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元;以及第二边缘位置区域,与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻,并被划分成多个单元,且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积,在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案,在所述第一边缘位置区域中,在第一单元内形成有A图案,在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案,如果在将所述第一照射进行曝光的步骤中,所述基板借助所述A图案而被曝光,且在将所述第二照射进行曝光的步骤中,所述基板借助所述B图案而被曝光,则借助所述A图案和所述B图案被双重曝光的部分形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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