[发明专利]利用曝光用掩膜的曝光方法有效
申请号: | 201710790213.2 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107807492B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 崔容硕;朴栽洪;姜珉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 曝光 用掩膜 方法 | ||
1.一种曝光方法,包括:
利用曝光用掩膜而曝光第一照射的步骤;以及
利用所述曝光用掩膜而以与所述第一照射部分重叠的方式曝光第二照射的步骤,
所述曝光用掩膜包括:普通区域;第一边缘位置区域,与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元;以及第二边缘位置区域,与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻,并被划分成多个单元,且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积,
在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案,
在所述第一边缘位置区域中,在第一单元内形成有用于形成所述曝光图案的曝光量的1/2的光量穿透的A图案,
在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有用于形成所述曝光图案的曝光量的1/2的光量穿透的B图案,
如果在将所述第一照射进行曝光的步骤中,所述基板借助所述A图案而被曝光,且在将所述第二照射进行曝光的步骤中,所述基板借助所述B图案而被曝光,则借助所述A图案和所述B图案被双重曝光的部分形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。
2.如权利要求1所述的曝光方法,其中,
在曝光所述第一照射的步骤中,所述第一照射包括对应于所述曝光用掩膜的所述第二边缘位置区域的第二边缘位置区域,
在曝光所述第二照射的步骤中,以所述曝光用掩膜的所述第一边缘位置区域与所述第一照射的所述第二边缘位置区域重叠的方式曝光。
3.如权利要求2所述的曝光方法,其中,
在所述曝光用掩膜的所述第一边缘位置区域中,在第三单元内形成有所述B图案,在对应于所述第三单元的位置的所述第二边缘位置区域的第四单元内形成有所述A图案。
4.如权利要求2所述的曝光方法,其中,
在所述曝光用掩膜的所述第一边缘位置区域中,形成有所述A图案的单元和形成有所述B图案的单元随机地排列。
5.如权利要求3所述的曝光方法,其中,
所述曝光方法用于制造显示装置,
所述曝光用掩膜的一个单元对应于所述显示装置的一个像素。
6.如权利要求3所述的曝光方法,其中,
所述曝光用掩膜的所述A图案和所述B图案包括狭缝图案。
7.如权利要求3所述的曝光方法,其中,
所述曝光用掩膜的所述A图案和所述B图案包括点状开口图案。
8.如权利要求3所述的曝光方法,其中,
所述曝光用掩膜的所述普通区域的所述图案包括透光程度为90%以下且10%以上的半色调区域,
对应于所述半色调区域而在所述曝光用掩膜形成有狭缝图案。
9.如权利要求3所述的曝光方法,其中,
所述曝光方法用于制造显示装置的滤色层或者黑色矩阵。
10.如权利要求9所述的曝光方法,其中,
所述滤色层或所述黑色矩阵包括厚度不同的部分。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备