[发明专利]利用曝光用掩膜的曝光方法有效
申请号: | 201710790213.2 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107807492B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 崔容硕;朴栽洪;姜珉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 曝光 用掩膜 方法 | ||
本发明公开一种利用曝光用掩膜的曝光方法,曝光用掩膜包括:普通区域;第一边缘位置区域,与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元;第二边缘位置区域,与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻,并被划分成多个单元,且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案,在所述第一边缘位置区域中,在第一单元内形成有A图案,在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案,如果所述A图案和所述B图案被双重曝光,则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。
技术领域
本发明涉及一种曝光用掩膜及利用所述曝光用掩膜的曝光方法,尤其涉及一种用于对掩膜以及大小大于所述掩膜大小的区域进行曝光的曝光方法。
背景技术
最近,受益于技术的发展,正在生产着小型化、轻量化且性能更优秀的显示产品。目前为止,在显示装置中,以往的阴极射线管电视(cathode ray tube:CRT)在性能或价格方面具有较多的优点而被广泛地使用,但是在小型化或便携性方面能够克服CRT的缺点,并具有小型化、轻量化及低电力消耗等优点的显示装置,如等离子显示装置、液晶显示装置及有机发光显示装置等正备受瞩目。
另外,在所述显示装置中,为了在各个基板形成各种图案,执行由涂覆光刻胶(Photo Resist Coating)、对齐(Align)及曝光(Exposure)、显影(Develop)等一系列的工序进行的光刻工序(Photo Process)。
在此,随着所述显示装置的大型化,使用着使小于所述显示装置的掩膜在大型基板上进行上下移动并曝光的方式,即缝曝光(Stitch exposure)方法,然而这种方法存在作为所述照射(shot)之间的边界的缝线被用户识别的问题。
发明内容
因此,本发明的技术课题为解决上述问题而提出的,本发明的目的在于提供一种用于制造缝线不会被视觉确认的大面积显示装置的曝光用掩膜。
本发明的另一目的在于提供一种利用所述曝光用掩膜的曝光方法。
用于实现上述本发明的目的的根据一实施例的曝光用掩膜包括:普通区域;第一边缘位置区域,与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元;以及第二边缘位置区域,与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻,并被划分成多个单元,且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板上形成曝光图案的图案,在所述第一边缘位置区域中,在第一单元内形成有A图案,在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案,如果所述A图案和所述B图案被双重曝光,则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。
本发明的一实施例中,在所述第一边缘位置区域中,在第三单元内可以形成有所述B图案。在对应于所述第三单元的位置的所述第二边缘位置区域的第四单元内可以形成有所述A图案。
本发明的一实施例中,在所述第一边缘位置区域中,形成有所述A图案的单元和形成有所述B图案的单元可以随机地排列。
本发明的一实施例中,所述曝光用掩膜可以用于制造显示装置,所述一个单元对应于所述显示装置的一个像素。
本发明的一实施例中,所述A图案和所述B图案可以包括狭缝图案。
本发明的一实施例中,所述A图案和所述B图案可以包括点状(Dot)开口图案。
本发明的一实施例中,所述普通区域的所述图案可以包括透光程度为90%以下且10%以上的半色调区域。在所述半色调区域可以形成有狭缝图案。
本发明的一实施例中,所述曝光用掩膜可以用于制造显示装置的滤色层或者黑色矩阵。
本发明的一实施例中,所述滤色层或所述黑色矩阵可以包括厚度不同的部分。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备