[发明专利]半导体器件

摘要

在包括电阻元件的半导体器件中设置有静电保护元件，所述静电保护元件包括将所述电阻元件作为组成元件的寄生双极晶体管。换言之，替代在半导体器件中设置专用静电保护元件，通过使用在半导体器件中设置的电阻元件，也可以实现静电保护元件的功能。

主权项

一种半导体器件，其包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的外延层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；形成在所述外延层中的第一导电类型的电阻区；第二导电类型的半导体隐埋区，所述半导体隐埋区跨所述半导体衬底和所述外延层之间的边界形成，并且具有比所述外延层更高的杂质浓度；第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区与所述半导体隐埋区接触，到达所述外延层的表面，与所述电阻区电连接，并且具有比所述外延层更高的杂质浓度；以及第一导电类型的半导体隔离区，所述半导体隔离区形成为与所述半导体隐埋区间隔开，并与所述半导体衬底接触。