[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

2016年9月14日提交的日本专利申请第2016-179331号的全部内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，例如，涉及可有效地应用于具有电阻元件的半导体器件的技术。

背景技术

半导体装置日本未经审查的专利申请公布文献特开平7(1995)-211510(专利文献1)描述了涉及具有扩散电阻的半导体器件的技术，在该技术中，即使在高温下发生电流泄露，寄生双极晶体管也不运行。

【相关技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】：日本未经审查的专利申请公布文献特开平7(1995)-211510。

发明内容

在半导体器件中，为了防止由静电引起的半导体器件的故障，静电击穿耐量(electrostatic breakdown tolerance)是必要的。为此，在半导体器件中设置静电保护元件，以提高静电击穿耐量。

然而，当设置与半导体器件的原有操作不相关的专用的静电保护元件时，就会阻碍半导体器件的小型化，因此，希望提高半导体器件的静电击穿耐量的同时不牺牲其小型化。

通过本说明书和附图的描述，其他问题和新特征将会变得明显。

在根据一种实施方式的具有电阻元件的半导体器件中，设置有静电保护元件，所述静电保护元件包括将该电阻元件作为组成元件的寄生双极晶体管。也就是说，在一种实施方式的半导体器件中，替代设置专用的静电保护元件，通过使用设置在半导体器件中的电阻元件也可以实现静电保护元件的功能。

根据一种实施方式，半导体器件的静电击穿耐量可以在不牺牲其小型化的情况下得到提高。

附图说明

图1是表示相关技术中的电路结构的一个例子的视图；

图2是表示包含一种实施方式的半导体元件的电路结构的一个例子的视图；

图3是表示所述实施方式中的半导体元件的平面装置结构的平面图；

图4是沿着图3中的A-A线截取的截面图；

图5是沿着图3中的B-B线截取的截面图；

图6A是与图4相对应的示意图；

图6B是显示I-V曲线的图表；

图7A是与图4相对应的示意图；

图7B是显示I-V曲线的图表；

图8A是与图4相对应的示意图；

图8B是显示I-V曲线的图表；

图9A是与图4相对应的示意图；

图9B是显示I-V曲线的图表；

图10A是表示所考虑的技术中的一种装置结构的示意图；

图10B是显示所考虑的技术中的I-V曲线的图表；

图11A和11B都是表示所述实施方式的半导体器件的生产步骤的截面图；

图12A是表示在图11A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图12B是表示在图11B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图13A是表示在图12A的生产步骤之后的半导体装置的生产步骤的截面图；

图13B是表示在图12B的生产步骤之后的半导体装置的生产步骤的截面图；

图14A是表示在图13A的生产步骤之后的半导体装置的生产步骤的截面图；

图14B是表示在图13B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图15A是表示在图14A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图15B是表示在图14B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图16A是表示在图15A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图16B是表示在图15B的生产步骤之后的半导体装置的生产步骤的截面图；

图17A是表示在图16A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图17B是表示在图16B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图18A是表示在图17A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图18B是表示在图17B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；

图19A是表示在图18A的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的的截面图；

图19B是表示在图18B的生产步骤之后的半导体器件的生产步骤的截面图；